Это открытие было сделано учеными из Аргоннской национальной лаборатории (ANL).
Читайте далее: Китайская «искусственная солнечная энергия» продвигается вперед, поскольку термоядерный реактор BEST преодолел половину пути.
Недавно американские исследователи обнаружили, что импульс напряжением 7 вольт, приложенный к сверхтонкой электронной пленке, может вызвать структурные изменения глубоко внутри поддерживающего ее сапфира.
Ученые из Аргоннской национальной лаборатории Министерства энергетики США (ANL) обнаружили, что этот эффект распространяется на десятки микрометров вглубь сапфира, в тысячи раз глубже, чем толщина самой пленки.
Захир Ислам, доктор философии, физик из ANL и соавтор исследования, заявил, что полученные результаты ставят под сомнение распространенное в микроэлектронике предположение о том, что подложка под тонкой пленкой просто действует как пассивная опора. Вместо этого сапфир может реагировать на работу электронного устройства и влиять на поведение пленки над ним.
«Это потенциально революционное наблюдение», — подчеркнул Ислам. «Нельзя просто предполагать, что субстрат никак не влияет на свойства или поведение устройства».
Пленка напряжена сапфира
В рамках исследования ученые изучили пленки диоксида ванадия (VO2), выращенные на сапфире. При подаче напряжения он может переключаться из состояния электрического изолятора в состояние проводника.
Диоксид ванадия часто используется в электронных переключателях, беспроводных устройствах, регулируемых оптических системах и «умных» окнах. Этот материал также изучается для использования в мемристорах — электронных компонентах, способных сохранять данные о предыдущих электрических сигналах.
Больше новостей из мира науки
Посмотреть все 
Научные исследования, проведенные в ЦЕРНе, показали первое наблюдение различий в нуклонах внутри атома.
Sourse: interestingengineering.com
